г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC014N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
Цена
613 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC014N06NSATMA1.jpg
Other Names
SP000924886,BSC014N06NSATMA1CT,BSC014N06NSATMA1TR,BSC014N06NSTR,BSC014N06NSDKR-ND,BSC014N06NS-ND,BSC014N06NSATMA1DKR,BSC014N06NSTR-ND,BSC014N06NS,BSC014N06NSCT-ND,BSC014N06NSDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 156W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC014
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-17
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFHM830TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN, N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: AUIRF1404Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB, N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC20FD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB3207ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 64-2096PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK, N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IDH06G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее