г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC016N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC016N04LSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON, N-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
470 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC016N04LSGATMA1.jpg
Other Names
BSC016N04LSGATMA1TR,BSC016N04LS GDKR,BSC016N04LS GTR-ND,BSC016N04LS GTR,BSC016N04LS GCT-ND,BSC016N04LS G-ND,SP000394801,BSC016N04LSG,BSC016N04LS GCT,BSC016N04LS G,BSC016N04LSGATMA1DKR,BSC016N04LS GDKR-ND,BSC016N04LSGATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC016
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC-848-B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPW60R099C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3, N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB3004PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC016N04LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON, N-Channel 40 V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF7473PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO, N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR505E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее