IRF5852TRPBF Infineon Technologies
Артикул
IRF5852TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF5852TRPBF.jpg
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
REACH Status
REACH Unaffected
Power - Max
960mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 15V
Base Product Number
IRF5852
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.7A
Moisture Sensitivity Level (MSL)
2 (1 Year)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Other Names
IRF5852TRPBF-ND,IRF5852TRPBFCT,SP001554076,IRF5852TRPBFDKR,IRF5852TRPBFTR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут