г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC027N04LSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON, N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
270 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC027N04LSGATMA1.jpg
Other Names
BSC027N04LSGATMA1DKR,BSC027N04LS GCT,BSC027N04LS G-ND,BSC027N04LS GTR-ND,SP000354810,BSC027N04LSGATMA1TR,BSC027N04LS GCT-ND,BSC027N04LS GDKR,BSC027N04LS G,BSC027N04LS GDKR-ND,BSC027N04LS GTR,BSC027N04LSG,BSC027N04LSGATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC027
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW65R019C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M, N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPD50N03S4L06ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: BAT5403WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOT 30V 200MA SOD323-2, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: BTS132
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFH5206TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN, N-Channel 60 V 16A (Ta), 89A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRF7350TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.1A, 1.5A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее