г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC027N04LSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON, N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
270 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC027N04LSGATMA1.jpg
Other Names
BSC027N04LSGATMA1DKR,BSC027N04LS GCT,BSC027N04LS G-ND,BSC027N04LS GTR-ND,SP000354810,BSC027N04LSGATMA1TR,BSC027N04LS GCT-ND,BSC027N04LS GDKR,BSC027N04LS G,BSC027N04LS GDKR-ND,BSC027N04LS GTR,BSC027N04LSG,BSC027N04LSGATMA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC027
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7477
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IGW25N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI, IGBT
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLHS6242TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 10A PQFN, N-Channel 20 V 10A (Ta), 12A (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRFP044NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC, N-Channel 55 V 53A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF1404ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB, N-Channel 40 V 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее