г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC028N06NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC028N06NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
472 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC028N06NSATMA1.jpg
Other Names
BSC028N06NSDKR,BSC028N06NSCT-ND,BSC028N06NSTR-ND,BSC028N06NS-ND,BSC028N06NS,BSC028N06NSATMA1CT,BSC028N06NSDKR-ND,BSC028N06NSATMA1TR,BSC028N06NSATMA1DKR,BSC028N06NSTR,SP000917416
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 30 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC028
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM50GB170DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 72A 500W, IGBT Module - Half Bridge 1700 V 72 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPB017N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: BSD223P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRF7832PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO, N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAR6403WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF9328PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO, P-Channel 30 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее