г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC040N10NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
563 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC040N10NS5ATMA1.jpg
Other Names
SP001295030,BSC040N10NS5ATMA1DKR,BSC040N10NS5ATMA1-ND,BSC040N10NS5ATMA1CT,BSC040N10NS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC040
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF5850
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: AIDW30S65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: HFA08TB60PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Diode Standard 600 V 8A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON, N-Channel 40 V 40A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: MMBT2222ALT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: NPN SWITCHING TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IPA50R190CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP, N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее