г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC042N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC042N03MSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON, N-Channel 30 V 17A (Ta), 93A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC042N03MSGATMA1.jpg
Other Names
BSC042N03MS G,BSC042N03MSGINTR-ND,BSC042N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC042N03MSG,BSC042N03MSGINCT-ND,BSC042N03MSGINDKR-ND,BSC042N03MSGATMA1TR,BSC042N03MSGXT,BSC042N03MSGATMA1DKR,SP000311512,BSC042N03MSGINTR,BSC042N03MSGINDKR,BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC042N
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4300 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC042
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPI80CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRFS7434-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IPD650P06NMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3, P-Channel 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: 2N7002H6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3, N-Channel 60 V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF7309PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD650P06NMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD650P06NM - 60V P-CHANNEL POWE, P-Channel 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее