г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC042NE7NS3G Infineon Technologies

Артикул
BSC042NE7NS3G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BSC042NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC042NE7NS3G.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
INFINFBSC042NE7NS3G,2156-BSC042NE7NS3G
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW40T60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 303 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IKW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPD160N04LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF3205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFS4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее

Ваша заявка принята