г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC047N08NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON, N-Channel 80 V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
591 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC047N08NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC047N08NS3 GCT,BSC047N08NS3G,BSC047N08NS3GATMA1TR,BSC047N08NS3 GTR-ND,BSC047N08NS3 GCT-ND,BSC047N08NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC047N08NS3 GDKR-ND,BSC047N08NS3 G,BSC047N08NS3GATMA1CT,BSC047N08NS3 GDKR,BSC047N08NS3GATMA1DKR,BSC047N
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC047
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3315PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, N-Channel 150 V 23A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCP69E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSC600N25NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF7756
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: BAT1704E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRL3803
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, N-Channel 30 V 140A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее