г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133SH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/BCR133SH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR133SH6327XTSA1TR,BCR 133S H6327CT-ND,BCR133SH6327,BCR 133S H6327TR-ND,SP000755050,BCR 133S H6327DKR-ND,BCR 133S H6327,BCR 133S H6327CT,BCR 133S H6327-ND,BCR133SH6327XTSA1CT,BCR133SH6327XTSA1DKR,BCR 133S H6327DKR,IFEINFBCR133SH6327XTSA1,2156-BCR133SH632
Power - Max
250mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Base Product Number
BCR133S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD220N06L3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3, N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4BH20K-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W D2PAK, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF530NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: FP25R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 155W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 40 A 155 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IDW10G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 17A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FS200T12A1T4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT HYBRID PK, IGBT Module - - - -
Подробнее