BSC0802LSATMA1 Infineon Technologies
Артикул
BSC0802LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON, N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
465 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0802LSATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 115µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 50 V
FET Type
N-Channel
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BSC0802
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001614074,448-BSC0802LSATMA1CT,448-BSC0802LSATMA1DKR,448-BSC0802LSATMA1TR
Standard Package
5,000
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут