г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC080N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC080N03MSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, N-Channel 30 V 13A (Ta), 53A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
148 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC080N03MSGATMA1.jpg
Other Names
BSC080N03MSGXT,BSC080N03MSG,BSC080N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC080N03MSGATMA1TR,BSC080N03MSGINCT,INFINFBSC080N03MSGATMA1,2156-BSC080N03MSGATMA1,BSC080N03MSGINTR-ND,BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC080N03MSGATMA1DKR,BSC080N03MSGINDKR,BSC080N03MSGINDKR-ND,BSC080
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 35W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC080
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1405S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK, N-Channel 55 V 131A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFB4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDH05G120C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: SPI80N03S2L-06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3, N-Channel 30 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Подробнее
Артикул: IRGB4056DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 24A TO220AB, IGBT Trench 600 V 24 A 140 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL60B216
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее