г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3806TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3806TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
217 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
IRFR3806TRPBFDKR,SP001564890,IRFR3806TRPBFCT,IRFR3806TRPBFTR
Base Product Number
IRFR3806
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MMBD7000LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SILICON SWITCHING DIODE ARRAY, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRL1004
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB, N-Channel 40 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW30N60DTPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 53A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 53 A 200 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFR3710ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRGB4056DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 24A TO220AB, IGBT Trench 600 V 24 A 140 W Through Hole TO-220AB
Подробнее