г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0902NSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON, N-Channel 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0902NSATMA1.jpg
Other Names
BSC0902NSCT-ND,BSC0902NSATMA1TR,BSC0902NSTR-ND,IFEINFBSC0902NSATMA1,BSC0902NS,BSC0902NSDKR-ND,BSC0902NSCT,SP000800246,BSC0902NSATMA1DKR,BSC0902NSTR,BSC0902NSDKR,BSC0902NSATMA1CT,2156-BSC0902NSATMA1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0902
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW30N160R2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1600 V 60 A 312 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR3710ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: IRG4BC30FD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 31 A 100 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRGS4B60KD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 63W D2PAK, IGBT NPT 600 V 11 A 63 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее