г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0902NSIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON, N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
212 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0902NSIATMA1.jpg
Other Names
BSC0902NSICT-ND,SP000854380,BSC0902NSITR-ND,BSC0902NSITR,BSC0902NSIATMA1DKR,BSC0902NSIATMA1CT,BSC0902NSICT,BSC0902NSIDKR-ND,BSC0902NSIATMA1TR,BSC0902NSI,BSC0902NSIDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0902
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW17N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCX42E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7470TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO, N-Channel 40 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRLB8721PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD60R1K4C6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3, N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4BC20FD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее