г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC0902NSIATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON, N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
212 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC0902NSIATMA1.jpg
Other Names
BSC0902NSICT-ND,SP000854380,BSC0902NSITR-ND,BSC0902NSITR,BSC0902NSIATMA1DKR,BSC0902NSIATMA1CT,BSC0902NSICT,BSC0902NSIDKR-ND,BSC0902NSIATMA1TR,BSC0902NSI,BSC0902NSIDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC0902
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: MMBT2222ALT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: NPN SWITCHING TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRAMS06UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: PWR MOD 600V 6A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFB4321PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB, N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD65R660CFDAATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее