г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC120N03MSGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON, N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC120N03MSGATMA1.jpg
Other Names
BSC120N03MS G,BSC120N03MSGINTR,BSC120N03MSGATMA1DKR,BSC120N03MSGINTR-ND,BSC120N03MSGXT,BSC120N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND,BSC120N03MSGINCT-ND,BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND,BSC120N03MSG,BSC120N03MSGATMA1TR,BSC120N03MSGINCT,SP000311516,BSC120N03MSGINDKR-ND,BSC120N0
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC120
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-5
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLZ34NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IGCM06F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 6 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRF540ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK, N-Channel 100 V 36A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IKB15N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF7488TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO, N-Channel 80 V 6.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4PH30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее