г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB20B60PD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB20B60PD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 40A 215W TO220AB, IGBT NPT 600 V 40 A 215 W Through Hole TO-220AB
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB20B60PD1PBF.jpg
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Power - Max
215 W
Switching Energy
95µJ (on), 100µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
68 nC
Td (on/off) @ 25°C
20ns/115ns
Test Condition
390V, 13A, 10Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRGB20B60PD1PBF,SP001548090
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSO052N03S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO, N-Channel 30 V 14A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: IPD050N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRAM136-3023B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC INTEGRATD PWR HYBRID 30A 150V, Power Driver Module MOSFET 3 Phase 150 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: BSC130P03LS G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF7821TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее