г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ12DN20NS3G Infineon Technologies

Артикул
BSZ12DN20NS3G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ12DN20NS3G.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSZ12DN20NS3G,IFEINFBSZ12DN20NS3G
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IMW120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IPP050N10NF2SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRENCH >=100V, N-Channel 100 V 19.4A (Ta), 110A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPP029N06NAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3, N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FS25R12KE3GBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRGS14C40L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 430V 20A 125W D2PAK, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF3415S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее

Ваша заявка принята