г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC123N08NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
277 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC123N08NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND,BSC123N08NS3 GTR-ND,BSC123N08NS3GATMA1TR,BSC123N08NS3 GTR,BSC123N08NS3G,BSC123N08NS3 GDKR,BSC123N08NS3 GCT-ND,BSC123N08NS3 G-ND,BSC123N08NS3 GCT,BSC123N08NS3 G,BSC123N08NS3GATMA1CT,BSC123N08NS3 GDKR-ND,BSC123N08NS3GATMA1DKR-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 66W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSC123
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG8P08N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC, IGBT - 1200 V 15 A 89 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF3205ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFP4368PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, N-Channel 75 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLR3410TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFI4228PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP, N-Channel 150 V 34A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRFZ44ESTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее