г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC146N10LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6, N-Channel 100 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Цена
332 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC146N10LS5ATMA1.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 50 V
FET Feature
-
Base Product Number
BSC146
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSC146N10LS5ATMA1DKR,448-BSC146N10LS5ATMA1TR,SP001385464,448-BSC146N10LS5ATMA1CT
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 52W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF150P221XKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IMW120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IGCM04G60HAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: BSS215PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3, P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IGW40N65F5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3,
Подробнее