г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC350N20NSFDATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC350N20NSFDATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1, N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
580 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC350N20NSFDATMA1.jpg
Other Names
BSC350N20NSFDATMA1CT,BSC350N20NSFDATMA1DKR,BSC350N20NSFDATMA1-ND,BSC350N20NSFDATMA1TR,SP001108124
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2410 pF @ 100 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
BSC350
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI4510GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 100V 35A TO220, N-Channel 100 V 35A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IPI023NE7N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRFR3410TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK, N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FF2MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 500A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: IRF5803TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее