г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F4-50R12MS4 Infineon Technologies

Артикул
F4-50R12MS4
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT, 70A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT
Цена
7 969 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-F4-50R12MS4,INFINFF4-50R12MS4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Obsolete
Package
Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PSC71KPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFB4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB, N-Channel 100 V 62A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD220N06L3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3, N-Channel 60 V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BAT6804E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRGB4715DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-220AB, IGBT - 650 V 21 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP3703
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее