г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC360N15NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON, N-Channel 150 V 33A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Цена
338 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC360N15NS3GATMA1.jpg
Other Names
SP000778134,BSC360N15NS3 GCT-ND,BSC360N15NS3GXT,BSC360N15NS3GATMA1DKR-NDTR-ND,BSC360N15NS3 GTR-ND,BSC360N15NS3GATMA1CT,BSC360N15NS3GATMA1DKR,BSC360N15NS3 G,BSC360N15NS3G,BSC360N15NS3 GDKR-ND,BSC360N15NS3 GCT,BSC360N15NS3 GDKR,BSC360N15NS3GATMA1TR,BSC360N1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 45µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1190 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSC360
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFR7546PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: SPI80N06S2L-05
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Подробнее
Артикул: IRFL4315TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223, N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRG4BC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Подробнее