г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD223PH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6-1
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSD223PH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BSD223
Other Names
BSD223P H6327-ND,BSD223PH6327XTSA1-ND,BSD223P H6327,BSD223PH6327XTSA1TR,SP000924074,BSD223PH6327XTSA1DKR,BSD223PH6327XTSA1CT
Power - Max
250mW
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
390mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1.5µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
56pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR3708
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK, N-Channel 30 V 61A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLHS6242TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN, N-Channel 20 V 10A (Ta), 12A (Tc) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFB4321PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB, N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR191
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BFP640ESDH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343, RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Подробнее