г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD316SNH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6, N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSD316SNH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSD316SNH6327XTSA1-ND,BSD316SN H6327,448-BSD316SNH6327XTSA1DKR,BSD316SN H6327-ND,448-BSD316SNH6327XTSA1CT,448-BSD316SNH6327XTSA1TR,SP000917668
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
94 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSD316
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPI60R190C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: IRF5305SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: F4-50R12MS4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 70A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT
Подробнее
Артикул: IRG4PC40FD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 49A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSZ086P03NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060BS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 5A MOTOR, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее