г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD316SNH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6, N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
78 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSD316SNH6327XTSA1.jpg
Other Names
BSD316SNH6327XTSA1-ND,BSD316SN H6327,448-BSD316SNH6327XTSA1DKR,BSD316SN H6327-ND,448-BSD316SNH6327XTSA1CT,448-BSD316SNH6327XTSA1TR,SP000917668
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
94 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSD316
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRF7342Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IRLU3410PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IMW120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BFP450H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4, RF Transistor NPN 5V 100mA 24GHz 450mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее
Артикул: IRFR7540PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK, N-Channel 60 V 90A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее