г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSD840NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSD840NH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BSD840
Other Names
BSD840N H6327CT,BSD840NH6327,BSD840N H6327TR-ND,BSD840N H6327CT-ND,BSD840NH6327XTSA1DKR,BSD840NH6327XTSA1CT,BSD840N H6327DKR,SP000917654,BSD840N H6327-ND,BSD840NH6327XT,BSD840N H6327DKR-ND,BSD840N H6327,BSD840NH6327XTSA1TR
Power - Max
500mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 1.6µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.26nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 10V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDW20G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 31A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: FS10R06VL4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL7833SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK, N-Channel 30 V 150A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее