г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GB170DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1700V 72A 500W, IGBT Module - Half Bridge 1700 V 72 A 500 W Chassis Mount Module
Цена
4 475 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Other Names
INFINFBSM50GB170DN2HOSA1,SP000100463,2156-BSM50GB170DN2HOSA1
Configuration
Half Bridge
Power - Max
500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
72 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor
No
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Package
Tray
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
8 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF6729MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET, N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: IGW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPD180N10N3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IDP15E65D2XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 650V 15A TO220, Diode Standard 650 V 15A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BAS 40-06 B5003
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее