г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSM50GD120DN2BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH08S120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, Diode
Подробнее
Артикул: IRFZ44ES
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IHW20N120R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF6217TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO, P-Channel 150 V 700mA (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC0302LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON, N-Channel 120 V 12A (Ta), 99A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRF6644TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET, N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее

Ваша заявка принята