г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSM50GD120DN2BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7705TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP, P-Channel 30 V 8A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IRLR7807ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK, N-Channel 30 V 43A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPD60R360P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFU3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BSZ16DN25NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON, N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRF7240PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO, P-Channel 40 V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее

Ваша заявка принята