г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSM50GD120DN2BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD068N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3, N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF135B203
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3, N-Channel 135 V 129A (Tc) 441W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPC50N04S5L5R5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33, N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Подробнее
Артикул: IRFP3703PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRF7640S2TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET, N-Channel 60 V 5.8A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Подробнее
Артикул: IPP65R190C7FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3, N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее

Ваша заявка принята