г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSM50GD120DN2BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF150P220AKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3, N-Channel 150 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFU3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK, N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BFS17WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3, RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 280mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: SPA20N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRGP4266DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 140A 455W TO247AC, IGBT - 650 V 140 A 455 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7210TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, P-Channel 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее

Ваша заявка принята