г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
20 848 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSM50GD120DN2BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7456TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO, N-Channel 20 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BFP740E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее
Артикул: IRF7424TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO, P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPP16CN10LGXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3, N-Channel 100 V 54A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BCW67C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSC014N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
Подробнее

Ваша заявка принята