г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GX120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2, IGBT Module
Цена
31 912 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Standard Package
10
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Last Time Buy
Package
Tray
Other Names
BSM50GX120DN2,IFEINFBSM50GX120DN2BOSA1,2156-BSM50GX120DN2BOSA1,SP000100372

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFS3004
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3, N-Channel 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK-3 (TO-263)
Подробнее
Артикул: IRF640NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3205LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO262, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFP4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC, N-Channel 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7424TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO, P-Channel 30 V 11A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее