г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM50GX120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM50GX120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2, IGBT Module
Цена
31 912 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Standard Package
10
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Last Time Buy
Package
Tray
Other Names
BSM50GX120DN2,IFEINFBSM50GX120DN2BOSA1,2156-BSM50GX120DN2BOSA1,SP000100372

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3205LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 110A TO262, N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BCW65C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: SPP03N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPW60R041P6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3, N-Channel 600 V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: AUIRF7316QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V - 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4PBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 600 A Chassis Mount AG-62MM-1
Подробнее