г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD65R600E6 Infineon Technologies

Артикул
IPD65R600E6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Цена
114 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IPD65R600E6.jpg
Standard Package
2,500
Other Names
2156-IPD65R600E6,IFEINFIPD65R600E6
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Affected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SGP30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD70R1K4P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3, N-Channel 700 V 4A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FS500R17OE4DB81BPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER ECONO, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1700 V 500 A 20 mW Chassis Mount AG-ECONOPP
Подробнее
Артикул: IRG4PC30FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PC30 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: SPB77N06S2-12
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее