г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAS3005B-02VH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, Diode
Подробнее
Артикул: IPW60R041C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRGPS40B120UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 80 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRL3803S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK, N-Channel 30 V 140A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRGB4607DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11A 58W TO220, IGBT - 600 V 11 A 58 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFH5300TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN, N-Channel 30 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее

Ваша заявка принята