г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGW50N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW50N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: BSS139H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3, N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UD-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRGP6690DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 140A 483W TO247AC, IGBT - 600 V 140 A 483 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF5806TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6, P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRF7413A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, N-Channel 30 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее

Ваша заявка принята