г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDL12G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 12A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 12A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее
Артикул: IPD50N03S4L06ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRLU2905PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IRLU3636PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IRFU3710Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: AUIRFB8405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее

Ваша заявка принята