г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7351TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF4104
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL1004
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB, N-Channel 40 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7904PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SPW16N50C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3, N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SPA08N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее

Ваша заявка принята