г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Цена
13 615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-BSM75GB120DN2HOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB3206PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB, N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRF4905S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLR014NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 10A DPAK, N-Channel 55 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFSL4115PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 195A TO262, N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFI4227PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP, N-Channel 200 V 26A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7309PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее

Ваша заявка принята