г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC20UD-S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC20UD-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC20UD-S.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6.5A
Power - Max
60 W
Switching Energy
160µJ (on), 130µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
27 nC
Td (on/off) @ 25°C
39ns/93ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4BC20UD-S
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB083N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IGB20N60H3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAK, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 170 W Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFZ44NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB, N-Channel 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BCR198E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее