г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSO200N03 Infineon Technologies

Артикул
BSO200N03
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSO200N03.jpg
Other Names
BSO200N03FUMA1,SP000104683,BSO200N03-ND,IFEINFBSO200N03,BSO200N03INTR,2156-BSO200N03-ITTR,BSO200N03INCT,BSO200N03XT,BSO200N03INDKR
Power - Max
1.4W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
2,500
HTSUS
8541.29.0095
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
PG-DSO-8
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSO613SPV
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO, P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPA60R080P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO220, N-Channel 600 V 37A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BSC600N25NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1, N-Channel 250 V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF5803TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRAMX20UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее