г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DDB6U30N08VRBOMA1 Infineon Technologies

Артикул
DDB6U30N08VRBOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 600V 26A 83.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 600 V 26 A 83.5 W Chassis Mount Module
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/DDB6U30N08VRBOMA1.jpg
Other Names
SP000100308,DDB6U30N08VR,DDB6U30N08VR-ND,2156-DDB6U30N08VRBOMA1-448
Configuration
Three Phase Inverter with Brake
Power - Max
83.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
26 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.55V @ 15V, 20A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
40
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
880 pF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFSL4410ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO262, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPA50R190CEXKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220, N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRL2910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB, N-Channel 100 V 55A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IMW65R027M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, - 47A (Tc) -
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRLML0030TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23, N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее