г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSO615NGXUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Цена
220 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSO615NGXUMA1.jpg
Supplier Device Package
PG-DSO-8
Power - Max
2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Other Names
448-BSO615NGXUMA1DKR,448-BSO615NGXUMA1CT,448-BSO615NGXUMA1TR,SP005353857
Standard Package
2,500
Series
Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
BSO615
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD12CN10N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IRFB3207PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB, N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PH30K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF6635
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее