г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FS50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FS50R12KE3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 75A 270W, IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200 V 75 A 270 W Chassis Mount Module
Цена
17 060 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FS50R12KE3BOSA1.jpg
Base Product Number
FS50R12
Other Names
FS50R12KE3-ND,SP000100413,INFINFFS50R12KE3BOSA1,2156-FS50R12KE3BOSA1,FS50R12KE3
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
270 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Input
Standard
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
3.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF6218PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL5602S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK, P-Channel 20 V 24A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BFR182E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: BSZ520N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON, N-Channel 150 V 21A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее