г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Артикул
BSS138NH6327XTSA2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSS138NH6327XTSA2.jpg
Other Names
BSS138NH6327XTSA1,SP000919330,BSS138N H6327-ND,BSS138NH6327XTSA2DKR,BSS138NH6327XTSA2CT,BSS138NH6327XTSA2INACTIVE,BSS138NH6327XTSA2TR,BSS138NH6327XTSA2-ND,BSS138N H6327,SP000639080
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
360mW (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
41 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSS138
Mounting Type
Surface Mount
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FP150R12KT4PBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 150A, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 150 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW60R160P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IPW65R041CFDFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3, N-Channel 650 V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4BC40U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 49A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLHS6242TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN, N-Channel 20 V 10A (Ta), 12A (Tc) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее