г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ028N04LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON, N-Channel 40 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ028N04LSATMA1.jpg
Other Names
448-BSZ028N04LSATMA1TR,448-BSZ028N04LSATMA1CT,BSZ028N04LSATMA1-ND,SP001067016,448-BSZ028N04LSATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 63W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ028
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее
Артикул: IPN80R2K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223, N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: AUIRGS4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W D2PAK, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: IRF7406PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO, P-Channel 30 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRAMX20UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRGP4630DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 47A 206W TO247AC, IGBT - 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-247AC
Подробнее