г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ0702LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ0702LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ0702LSATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 30 V
FET Type
N-Channel
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BSZ0702
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSZ0702LSATMA1CT,448-BSZ0702LSATMA1TR,448-BSZ0702LSATMA1DKR,SP001614090
Standard Package
5,000
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R040CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3, N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: SPW20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPW20N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее
Артикул: IKD15N60RFATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 250 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPA65R190CFDXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IMW120R350M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3, N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: SPI80N03S2L-06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3, N-Channel 30 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Подробнее