г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ0702LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ0702LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON, N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ0702LSATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 30 V
FET Type
N-Channel
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BSZ0702
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSZ0702LSATMA1CT,448-BSZ0702LSATMA1TR,448-BSZ0702LSATMA1DKR,SP001614090
Standard Package
5,000
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFS483H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 13A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MO, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BAS2103WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323, Diode Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRF3205Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPA20N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRF7328PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее