г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ086P03NS3EGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ086P03NS3EGATMA1.jpg
Other Names
BSZ086P03NS3E GCT-ND,BSZ086P03NS3EGATMA1DKR,BSZ086P03NS3EG,BSZ086P03NS3EGATMA1CT,BSZ086P03NS3E G-ND,SP000473016,BSZ086P03NS3E GDKR-ND,BSZ086P03NS3E G,BSZ086P03NS3E GCT,BSZ086P03NS3E GDKR,BSZ086P03NS3E GTR-ND,BSZ086P03NS3EGATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ086
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±25V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFL4315TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223, N-Channel 150 V 2.6A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRLIB4343
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP, N-Channel 55 V 19A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF60B217
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB, N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SGB10N60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 20A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IPD082N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее