г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ086P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ086P03NS3EGATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ086P03NS3EGATMA1.jpg
Other Names
BSZ086P03NS3E GCT-ND,BSZ086P03NS3EGATMA1DKR,BSZ086P03NS3EG,BSZ086P03NS3EGATMA1CT,BSZ086P03NS3E G-ND,SP000473016,BSZ086P03NS3E GDKR-ND,BSZ086P03NS3E G,BSZ086P03NS3E GCT,BSZ086P03NS3E GDKR,BSZ086P03NS3E GTR-ND,BSZ086P03NS3EGATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ086
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±25V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4BC30WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPD15N06S2L-64
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3, N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IRF9317TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO, P-Channel 30 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT165
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAT165 - RECTIFIER DIODE, SCHOTT, Diode Schottky 40 V 750mA (DC) Surface Mount PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: AUIRF2804S-7P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IPAW60R180P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220, N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Подробнее