г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ0905PNSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ0905PNSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8, P-Channel 30 V 40A (Tc) 69W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8
Цена
312 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ0905PNSATMA1.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 105µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3190 pF @ 15 V
FET Feature
-
Base Product Number
BSZ0905
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSZ0905PNSATMA1TR,SP005399015,448-BSZ0905PNSATMA1CT,448-BSZ0905PNSATMA1DKR
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
69W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BF-517
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANSISTOR, NPN, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRF7416PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO, P-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FP10R12W1T4PBPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 20A 20MW, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 20 A 20 mW Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSZ440N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON, N-Channel 100 V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRFS52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPP02N80C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее