г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ0905PNSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ0905PNSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8, P-Channel 30 V 40A (Tc) 69W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8
Цена
312 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ0905PNSATMA1.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 105µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3190 pF @ 15 V
FET Feature
-
Base Product Number
BSZ0905
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-BSZ0905PNSATMA1TR,SP005399015,448-BSZ0905PNSATMA1CT,448-BSZ0905PNSATMA1DKR
Standard Package
5,000
Power Dissipation (Max)
69W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF200R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB7787PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB, N-Channel 75 V 76A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FS10R06VE3B2BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 600V 16A 50W, IGBT Module - Three Phase Inverter 600 V 16 A 50 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLHS6376TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A 6PQFN, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRF7329PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC021N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET TRENCH 80V TSON-8, N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее