г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ096N10LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ096N10LS5ATMA1.jpg
Other Names
448-BSZ096N10LS5ATMA1CT,BSZ096N10LS5ATMA1-ND,448-BSZ096N10LS5ATMA1DKR,SP001352994,448-BSZ096N10LS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET Feature
Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ096
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF600R12ME4CBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF2804
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BCR583
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IPB060N15N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7, N-Channel 150 V 136A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Подробнее
Артикул: IRFH7932TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56, N-Channel 30 V 24A (Ta), 104A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее