г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ096N10LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ096N10LS5ATMA1.jpg
Other Names
448-BSZ096N10LS5ATMA1CT,BSZ096N10LS5ATMA1-ND,448-BSZ096N10LS5ATMA1DKR,SP001352994,448-BSZ096N10LS5ATMA1TR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 50 V
FET Feature
Standard
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ096
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7389
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BC858B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BFR92PE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 15V 45mA 5GHz 280mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, N-Channel 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Подробнее
Артикул: IRL3716
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB, N-Channel 20 V 180A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL8113
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее