г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ12DN20NS3G Infineon Technologies

Артикул
BSZ12DN20NS3G
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ12DN20NS3G.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-BSZ12DN20NS3G,IFEINFBSZ12DN20NS3G
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC130P03LS G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: P-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRFU15N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 17A IPAK, N-Channel 200 V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: ISC022N10NM6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRENCH >=100V PG-TSON-8, N-Channel 100 V 25A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 254W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DD1200S17H4B2BOSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE 1200V 1200A, Diode Array 2 Independent Standard 1700 V - Chassis Mount Module
Подробнее

Ваша заявка принята