г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ340N08NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON, N-Channel 80 V 6A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
140 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ340N08NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSZ340N08NS3GINTR-ND,BSZ340N08NS3GATMA1TR,BSZ340N08NS3GINDKR-ND,BSZ340N08NS3GATMA1CT,BSZ340N08NS3GINCT,BSZ340N08NS3GINCT-ND,BSZ340N08NS3 G,SP000443634,BSZ340N08NS3GINDKR,BSZ340N08NS3GATMA1DKR,BSZ340N08NS3G,BSZ340N08NS3GINTR,BSZ340N08NS3GXT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 32W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ340
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDP30E60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Подробнее
Артикул: IRF1010ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLR3110ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFR4105ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSC080N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON, N-Channel 30 V 13A (Ta), 53A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRF6218PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRF6218 - 20V-250V P-CHANNEL POW, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее