г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ900N15NS3GATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON, N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
246 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ900N15NS3GATMA1.jpg
Other Names
BSZ900N15NS3 G,BSZ900N15NS3 GCT-ND,BSZ900N15NS3GATMA1TR,BSZ900N15NS3 GCT,BSZ900N15NS3 GDKR,BSZ900N15NS3GATMA1DKR,BSZ900N15NS3GATMA1CT,BSZ900N15NS3 GDKR-ND,SP000677866,BSZ900N15NS3 GTR-ND,BSZ900N15NS3 G-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 75 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Base Product Number
BSZ900
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL1404ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAM256-1067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 8A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFR2607ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCW60C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRFR7446TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK, N-Channel 40 V 56A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSP61H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 1 A 200MHz 1.5 W Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее