г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BTS115A Infineon Technologies

Артикул
BTS115A
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, 15.5A (Tc)
Цена
512 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BTS115A.jpg
Other Names
2156-BTS115A-IT,INFINFBTS115A
Standard Package
500
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Obsolete
Package
Bulk
Series
Alliance Plastics, BTS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15.5A (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC0906NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IKW30N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 187W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSZ040N06LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRFR4105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK, N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPD50R3K0CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3, N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPD60R180P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3, N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее