г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUZ31L Infineon Technologies

Артикул
BUZ31L
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3, N-Channel 200 V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
215 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BUZ31L.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
95W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Other Names
BUZ31L-ND,BUZ31LIN,BUZ31LX,BUZ31LXK,SP000011342
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR3711
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPA60R280P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO220, N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRF7456TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO, N-Channel 20 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BC858BW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: BAT5405E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRGP4263DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Подробнее