г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7842TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7842TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO, N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
308 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7842TRPBF.jpg
Other Names
IRF7842PBFDKR,IRF7842PBFTR,SP001577684,IRF7842PBFCT,*IRF7842TRPBF
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 20 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
IRF7842
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
4,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLS3036TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK, N-Channel 60 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BAR8902LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: IRG4IBC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP, IGBT - 600 V 11.4 A 34 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: BCR133SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: BSS169H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3, N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF7769L2TR1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET, N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее