г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUZ31L Infineon Technologies

Артикул
BUZ31L
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3, N-Channel 200 V 13.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
215 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BUZ31L.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
95W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Other Names
BUZ31L-ND,BUZ31LIN,BUZ31LX,BUZ31LXK,SP000011342
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD50R800CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN,
Подробнее
Артикул: IPI80CN10N G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRFP7718PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, N-Channel 75 V 195A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB5620PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT15099E6433HTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4, RF Diode Schottky - 2 Independent 4V 110 mA 100 mW PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRF7380TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее