г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
18 891 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-F475R12KS4B11BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP03N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRF7304
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD110N12N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3, N-Channel 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRGS4620DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 32A 140W D2PAK, IGBT - 600 V 32 A 140 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IGW25T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 50 A 190 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее