г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

F475R12KS4B11BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
F475R12KS4B11BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
LOW POWER ECONO, IGBT Module
Цена
18 891 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-F475R12KS4B11BOSA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRGB4062D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 59A 246W TO-220AB, IGBT Trench 600 V 59 A 246 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPP02N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: T1190N16TOFVTXPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCR MODULE 1800V 2800A DO200AC, SCR Module 1.8 kV 2800 A Single Chassis Mount TO-200AC
Подробнее
Артикул: IRGB4610DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 77W TO220, IGBT - 600 V 16 A 77 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6613TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET, N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Подробнее
Артикул: BUZ311
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее